Продукція > ONSEMI > NTMFS002P03P8ZT1G
NTMFS002P03P8ZT1G

NTMFS002P03P8ZT1G ONSEMI

3213447.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 138.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.47 грн
500+121.85 грн
1000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS002P03P8ZT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 226A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 138.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 138.9W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS002P03P8ZT1G за ціною від 79.45 грн до 244.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS002P03P8ZT1G NTMFS002P03P8ZT1G Виробник : ONSEMI 3213447.pdf Description: ONSEMI - NTMFS002P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 226 A, 0.0012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 226A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.22 грн
10+148.55 грн
100+139.47 грн
500+121.85 грн
1000+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1G NTMFS002P03P8ZT1G Виробник : onsemi ntmfs002p03p8z-d.pdf Description: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.81 грн
10+146.37 грн
100+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1G Виробник : onsemi ntmfs002p03p8z-d.pdf MOSFETs MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL
на замовлення 3305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.61 грн
10+161.59 грн
100+100.05 грн
500+82.40 грн
1500+79.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1G NTMFS002P03P8ZT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs002p03p8z-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 40.2A 5-Pin SO-FL EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1G Виробник : ONSEMI ntmfs002p03p8z-d.pdf NTMFS002P03P8ZT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS002P03P8ZT1G NTMFS002P03P8ZT1G Виробник : onsemi ntmfs002p03p8z-d.pdf Description: MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.2A (Ta), 263A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 138.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 217 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.