Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS005N10MCLT1G
NTMFS005N10MCLT1G

NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor

ntmfs005n10mcl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+108.72 грн
500+104.10 грн
1000+98.31 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS005N10MCLT1G за ціною від 76.65 грн до 133.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs005n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.18 грн
10+112.80 грн
25+112.20 грн
100+90.85 грн
250+83.28 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs005n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.18 грн
126+112.20 грн
150+90.85 грн
250+83.28 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI 3191512.pdf Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G onsemi ntmfs005n10mcl-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs005n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI 3191512.pdf Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs005n10mcl-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+133.18 грн
10+112.80 грн
25+112.20 грн
100+90.85 грн
250+83.28 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+133.18 грн
126+112.20 грн
150+90.85 грн
250+83.28 грн
500+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G 3191512.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G 3191512.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.