NTMFS005N10MCLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 66.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS005N10MCLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0042 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS005N10MCLT1G за ціною від 61.83 грн до 177.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0042 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V |
на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 0.0042 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm |
на замовлення 6918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ONSEMI |
NTMFS005N10MCLT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |