Продукція > ONSEMI > NTMFS005N10MCLT1G
NTMFS005N10MCLT1G

NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI

3191512.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+99.50 грн
500+79.41 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS005N10MCLT1G за ціною від 61.67 грн до 203.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G onsemi ntmfs005n10mcl-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.64 грн
10+117.53 грн
100+76.83 грн
250+76.12 грн
500+63.15 грн
1500+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI 3191512.pdf Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.93 грн
10+138.97 грн
100+99.50 грн
500+79.41 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs005n10mcl-d.pdf
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+163.64 грн
10+117.53 грн
100+76.83 грн
250+76.12 грн
500+63.15 грн
1500+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G 3191512.pdf
NTMFS005N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+203.93 грн
10+138.97 грн
100+99.50 грн
500+79.41 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS005N10MCLT1G ntmfs005n10mcl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.