NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 98.43 грн |
| 500+ | 78.56 грн |
| 1000+ | 70.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS005N10MCLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTMFS005N10MCLT1G за ціною від 61.01 грн до 201.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 105A, 5.1 mohm |
на замовлення 6918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS005N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 105 A, 4200 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS005N10MCLT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |