 
NTMFS005P03P8ZT1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3+ | 141.26 грн | 
| 10+ | 90.37 грн | 
| 100+ | 63.66 грн | 
| 500+ | 47.56 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS005P03P8ZT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018). 
Інші пропозиції NTMFS005P03P8ZT1G за ціною від 44.65 грн до 156.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs PFET SO8FL -30V 5MO | на замовлення 656 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||
| NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1185 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||
|   | NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Power, Single P-Channel, SO8-FL | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET P-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||
| NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -164A; Idm: -597A; 104W; DFN5 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -164A Pulsed drain current: -597A Power dissipation: 104W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 112nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |