NTMFS005P03P8ZT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.76 грн |
| 10+ | 86.85 грн |
| 100+ | 61.18 грн |
| 500+ | 45.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS005P03P8ZT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS005P03P8ZT1G за ціною від 42.91 грн до 150.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET SO8FL -30V 5MO |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS005P03P8ZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 164 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 164A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Power, Single P-Channel, SO8-FL |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : ONSEMI |
NTMFS005P03P8ZT1G SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
NTMFS005P03P8ZT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 164A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7880 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |