Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS006N08MC
NTMFS006N08MC

NTMFS006N08MC ON Semiconductor

ntmfs006n08mc-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.15 грн
45000+50.40 грн
90000+46.89 грн
135000+42.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS006N08MC ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NTMFS006N08MC за ціною від 55.57 грн до 199.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS006N08MC NTMFS006N08MC Виробник : onsemi ntmfs006n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MC NTMFS006N08MC Виробник : ON Semiconductor ntmfs006n08mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+72.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MC NTMFS006N08MC Виробник : onsemi ntmfs006n08mc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A/82A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 40 V
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.23 грн
10+124.33 грн
100+85.81 грн
500+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MC Виробник : onsemi NTMFS006N08MC-D.PDF MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 80V, 32A, 6.0mohm
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.40 грн
10+122.68 грн
100+75.30 грн
500+65.96 грн
1000+59.68 грн
3000+55.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MC Виробник : ON Semiconductor ntmfs006n08mc-d.pdf
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MC NTMFS006N08MC Виробник : ON Semiconductor ntmfs006n08mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 14.7A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N08MC Виробник : ONSEMI ntmfs006n08mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 216A; 78W; PQFN8
Kind of package: reel; tape
Case: PQFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 78W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 216A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.