Продукція > ONSEMI > NTMFS006N12MCT1G
NTMFS006N12MCT1G

NTMFS006N12MCT1G onsemi


NTMFS006N12MC_D-2318977.pdf Виробник: onsemi
MOSFET PTNG 120V SG
на замовлення 11808 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.67 грн
10+ 178.3 грн
100+ 125.89 грн
500+ 111.31 грн
1500+ 95.41 грн
3000+ 90.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS006N12MCT1G onsemi

Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V.

Інші пропозиції NTMFS006N12MCT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS006N12MCT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs006n12mc-d.pdf
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTMFS006N12MCT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs006n12mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 15A
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G Виробник : onsemi ntmfs006n12mc-d.pdf Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товар відсутній
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G Виробник : onsemi ntmfs006n12mc-d.pdf Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V
товар відсутній