NTMFS006N12MCT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 117.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS006N12MCT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 5000 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTMFS006N12MCT1G за ціною від 85.76 грн до 141.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package |
на замовлення 23848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 5000 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 93A; Idm: 522A; 41W; DFN5 Kind of package: reel; tape Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 93A Gate charge: 42nC On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 41W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 522A |
товару немає в наявності |