NTMFS006N12MCT1G ON Semiconductor
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 102.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS006N12MCT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS006N12MCT1G за ціною від 99.08 грн до 225.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, 120V Single N channel 93A, 6m Ohm in Power56 package |
на замовлення 24475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 15A |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| NTMFS006N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
NTMFS006N12MCT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTMFS006N12MCT1G | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |