NTMFS008N12MCT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS008N12MCT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 102W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 102W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS008N12MCT1G за ціною від 67.13 грн до 194.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 102W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V |
на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS008N12MCT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS008N12MCT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 79A; Idm: 352A; 40W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 79A Pulsed drain current: 352A Power dissipation: 40W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |