Продукція > ONSEMI > NTMFS010N10GTWG
NTMFS010N10GTWG

NTMFS010N10GTWG onsemi

ntmfs010n10g-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+89.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS010N10GTWG onsemi

Description: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V.

Інші пропозиції NTMFS010N10GTWG за ціною від 98.46 грн до 270.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS010N10GTWG NTMFS010N10GTWG Виробник : onsemi ntmfs010n10g-d.pdf Description: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 164µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 50 V
на замовлення 14865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.13 грн
10+170.08 грн
100+119.03 грн
500+98.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWG NTMFS010N10GTWG Виробник : ON Semiconductor ntmfs010n10g-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 83A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWG Виробник : ON Semiconductor ntmfs010n10g-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWG Виробник : onsemi NTMFS010N10G-D.PDF MOSFETs 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS010N10GTWG Виробник : ONSEMI ntmfs010n10g-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 1247A; 75W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 1247A
Power dissipation: 75W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.