Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS015N10MCLT1G
NTMFS015N10MCLT1G

NTMFS015N10MCLT1G ON Semiconductor

ntmfs015n10mcl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS015N10MCLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS015N10MCLT1G за ціною від 43.80 грн до 141.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs015n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G ON Semiconductor ntmfs015n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.02 грн
12+64.01 грн
25+62.40 грн
100+54.43 грн
250+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G onsemi ntmfs015n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.63 грн
10+86.95 грн
100+58.74 грн
500+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G onsemi ntmfs015n10mcl-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ntmfs015n10mcl-d.pdf
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
275+51.15 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ntmfs015n10mcl-d.pdf
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+73.02 грн
12+64.01 грн
25+62.40 грн
100+54.43 грн
250+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ntmfs015n10mcl-d.pdf
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.63 грн
10+86.95 грн
100+58.74 грн
500+43.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ntmfs015n10mcl-d.pdf
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.