Продукція > ONSEMI > NTMFS016N06CT1G
NTMFS016N06CT1G

NTMFS016N06CT1G onsemi

NTMFS016N06C-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+22.29 грн
3000+ 19.12 грн
7500+ 18.11 грн
10500+ 15.74 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS016N06CT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTMFS016N06CT1G за ціною від 23.67 грн до 52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS016N06CT1G NTMFS016N06CT1G Виробник : onsemi NTMFS016N06C-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52 грн
10+ 43.6 грн
100+ 30.19 грн
500+ 23.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTMFS016N06CT1G Виробник : onsemi onsm_s_a0009689116_1-2280104.pdf MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній