Продукція > ONSEMI > NTMFS016N06CT1G
NTMFS016N06CT1G

NTMFS016N06CT1G onsemi

NTMFS016N06C-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.91 грн
10+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS016N06CT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTMFS016N06CT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS016N06CT1G NTMFS016N06CT1G onsemi NTMFS016N06C-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS016N06CT1G onsemi NTMFS016N06C-D.pdf MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS016N06CT1G NTMFS016N06C-D.pdf
NTMFS016N06CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS016N06CT1G NTMFS016N06C-D.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.