Продукція > ONSEMI > NTMFS022N15MC
NTMFS022N15MC

NTMFS022N15MC onsemi

ntmfs022n15mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS022N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS022N15MC за ціною від 64.33 грн до 182.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC onsemi ntmfs022n15mc-d.pdf Description: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.43 грн
10+119.86 грн
100+86.39 грн
500+67.19 грн
1000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC onsemi ntmfs022n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V 22MOHM PQFN56
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC ONSEMI 3213449.pdf Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC ONSEMI 3213449.pdf Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC ntmfs022n15mc-d.pdf
NTMFS022N15MC
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 80.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 41.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.43 грн
10+119.86 грн
100+86.39 грн
500+67.19 грн
1000+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC ntmfs022n15mc-d.pdf
NTMFS022N15MC
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 150V 22MOHM PQFN56
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC 3213449.pdf
NTMFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC 3213449.pdf
NTMFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.