
NTMFS034N15MC ON Semiconductor
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 62.35 грн |
18+ | 33.54 грн |
25+ | 31.80 грн |
100+ | 28.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS034N15MC ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS034N15MC за ціною від 48.97 грн до 149.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
NTMFS034N15MC | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS034N15MC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V |
товару немає в наявності |