
NTMFS08N003C ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 291.45 грн |
100+ | 249.46 грн |
500+ | 223.23 грн |
1000+ | 201.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS08N003C ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 147A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS08N003C за ціною від 201.82 грн до 608.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 147A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 310µA Supplier Device Package: Power56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 40 V |
на замовлення 62948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTMFS08N003C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
NTMFS08N003C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NTMFS08N003C | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
NTMFS08N003C | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |