Продукція > ONSEMI > NTMFS08N004C
NTMFS08N004C

NTMFS08N004C ONSEMI

ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS08N004C ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS08N004C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.