Продукція > ONSEMI > NTMFS08N2D5C
NTMFS08N2D5C

NTMFS08N2D5C ONSEMI

2310548.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+374.72 грн
50+309.46 грн
100+249.43 грн
250+244.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS08N2D5C ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 166A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 138W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.

Інші пропозиції NTMFS08N2D5C за ціною від 244.55 грн до 592.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS08N2D5C NTMFS08N2D5C ONSEMI 2310548.pdf Description: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.73 грн
5+457.63 грн
10+374.72 грн
50+309.46 грн
100+249.43 грн
250+244.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C NTMFS08N2D5C onsemi ntmfs08n2d5c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.56 грн
10+389.02 грн
100+286.09 грн
500+265.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C NTMFS08N2D5C onsemi / Fairchild NTMFS08N2D5C-D.PDF MOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C 2310548.pdf
NTMFS08N2D5C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N2D5C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 2200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+539.73 грн
5+457.63 грн
10+374.72 грн
50+309.46 грн
100+249.43 грн
250+244.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C ntmfs08n2d5c-d.pdf
NTMFS08N2D5C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+592.56 грн
10+389.02 грн
100+286.09 грн
500+265.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N2D5C NTMFS08N2D5C-D.PDF
NTMFS08N2D5C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.