NTMFS0D4N04XMT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 82.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D4N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 509A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS0D4N04XMT1G за ціною від 77.31 грн до 292.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V |
на замовлення 2069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE |
на замовлення 4279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 509A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 509A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS0D4N04XMT1G |
товару немає в наявності |