NTMFS0D4N04XMT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.90 грн |
| 10+ | 151.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D4N04XMT1G onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTMFS0D4N04XMT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
NTMFS0D4N04XMT1G |
товару немає в наявності |
||
|
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|
|
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|
|
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 509A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8577 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
NTMFS0D4N04XMT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE |
товару немає в наявності |
