Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS0D4N04XMT1G
NTMFS0D4N04XMT1G

NTMFS0D4N04XMT1G ON Semiconductor

ntmfs0d4n04xm-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
N-Channel MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+144.83 грн
3000+143.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D4N04XMT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 509A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS0D4N04XMT1G за ціною від 143.40 грн до 144.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G ON Semiconductor ntmfs0d4n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+144.83 грн
3000+143.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G ONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G ONSEMI 4164768.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G ONSEMI 4164768.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G ntmfs0d4n04xm-d.pdf
NTMFS0D4N04XMT1G
Виробник: ON Semiconductor
N-Channel MOSFET
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+144.83 грн
3000+143.40 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G
NTMFS0D4N04XMT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 5907 шт:
термін постачання 371-380 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G
Виробник: ONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G 4164768.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D4N04XMT1G 4164768.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.