 
NTMFS0D55N03CGT1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 204.87 грн | 
| 10+ | 140.48 грн | 
| 100+ | 97.93 грн | 
| 500+ | 78.40 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D55N03CGT1G onsemi
Description: WIDE SOA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції NTMFS0D55N03CGT1G за ціною від 74.99 грн до 238.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTMFS0D55N03CGT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs WIDE SOA | на замовлення 1489 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| NTMFS0D55N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| NTMFS0D55N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 2084850 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | |||||||||||||||||
| NTMFS0D55N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |  MOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||
| NTMFS0D55N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||
|   | NTMFS0D55N03CGT1G | Виробник : onsemi |  Description: WIDE SOA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V | товару немає в наявності |