Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS0D55N03CGT1G
NTMFS0D55N03CGT1G

NTMFS0D55N03CGT1G ON Semiconductor

ntmfs0d55n03cgd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 2048850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+140.24 грн
500+126.73 грн
1000+116.35 грн
10000+100.07 грн
100000+77.64 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D55N03CGT1G ON Semiconductor

Description: WIDE SOA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS0D55N03CGT1G за ціною від 67.59 грн до 220.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D55N03CGT1G NTMFS0D55N03CGT1G Виробник : onsemi ntmfs0d55n03cg-d.pdf Description: WIDE SOA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.60 грн
10+140.89 грн
100+98.22 грн
500+78.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1G NTMFS0D55N03CGT1G Виробник : onsemi NTMFS0D55N03CG-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, 30V N-Channel, SO8-FL
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.86 грн
10+154.75 грн
100+94.27 грн
500+80.59 грн
1500+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d55n03cg-d.pdf MOSFET, Power, 30V N Channel, SO8 FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1G NTMFS0D55N03CGT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d55n03cgd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1G NTMFS0D55N03CGT1G Виробник : onsemi ntmfs0d55n03cg-d.pdf Description: WIDE SOA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D55N03CGT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d55n03cg-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 462A; Idm: 900A; 199W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 173nC
On-state resistance: 580µΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 199W
Drain current: 462A
Case: DFN5
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.