Продукція > ONSEMI > NTMFS0D5N03CT1G
NTMFS0D5N03CT1G

NTMFS0D5N03CT1G onsemi

ntmfs0d5n03c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+61.81 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D5N03CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 464A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS0D5N03CT1G за ціною від 64.63 грн до 193.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ON Semiconductor ntmfs0d5n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.69 грн
10+108.98 грн
25+107.27 грн
100+101.80 грн
250+92.73 грн
500+87.56 грн
1000+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ON Semiconductor ntmfs0d5n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.69 грн
130+108.98 грн
132+107.27 грн
134+101.80 грн
250+92.73 грн
500+87.56 грн
1000+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G onsemi ntmfs0d5n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.30 грн
10+120.84 грн
100+83.32 грн
500+64.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ONSEMI 3191514.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03CT1G ONSEMI 3191514.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G ONN ntmfs0d5n03c-d.pdf
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G onsemi NTMFS0D5N03C-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+110.69 грн
10+108.98 грн
25+107.27 грн
100+101.80 грн
250+92.73 грн
500+87.56 грн
1000+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
128+110.69 грн
130+108.98 грн
132+107.27 грн
134+101.80 грн
250+92.73 грн
500+87.56 грн
1000+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 15 V
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.30 грн
10+120.84 грн
100+83.32 грн
500+64.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G 3191514.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G 3191514.pdf
NTMFS0D5N03CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 464 A, 430 µohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G ntmfs0d5n03c-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N03CT1G NTMFS0D5N03C-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.