Продукція > ONSEMI > NTMFS0D5N04XMT1G
NTMFS0D5N04XMT1G

NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI

ntmfs0d5n04xm-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.59 грн
500+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 414A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 163W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS0D5N04XMT1G за ціною від 68.94 грн до 228.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d5n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
82+149.39 грн
99+123.11 грн
113+107.90 грн
122+96.07 грн
250+82.68 грн
500+73.44 грн
1000+72.90 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d5n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+160.06 грн
10+131.90 грн
25+115.61 грн
100+102.93 грн
250+88.59 грн
500+78.68 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi ntmfs0d5n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.75 грн
10+137.27 грн
100+94.11 грн
500+81.87 грн
1000+81.11 грн
1500+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d5n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.40 грн
10+146.78 грн
100+117.59 грн
500+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi ntmfs0d5n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.44 грн
10+152.55 грн
100+107.45 грн
500+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d5n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi ntmfs0d5n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.