Продукція > ONSEMI > NTMFS0D5N04XMT1G
NTMFS0D5N04XMT1G

NTMFS0D5N04XMT1G onsemi

ntmfs0d5n04xm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+71.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D5N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTMFS0D5N04XMT1G за ціною від 63.50 грн до 220.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G onsemi NTMFS0D5N04XM-D.PDF MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.31 грн
10+136.17 грн
100+88.81 грн
500+75.42 грн
1000+69.07 грн
1500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G onsemi ntmfs0d5n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.43 грн
10+137.98 грн
100+95.74 грн
500+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XM-D.PDF
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+188.31 грн
10+136.17 грн
100+88.81 грн
500+75.42 грн
1000+69.07 грн
1500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G ntmfs0d5n04xm-d.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+220.43 грн
10+137.98 грн
100+95.74 грн
500+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.