на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 139.39 грн |
| 10+ | 114.87 грн |
| 25+ | 100.68 грн |
| 100+ | 89.64 грн |
| 250+ | 77.15 грн |
| 500+ | 68.52 грн |
| 1000+ | 68.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D5N04XMT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 414A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 163W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS0D5N04XMT1G за ціною від 73.10 грн до 229.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 N-Channel MOSFET |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V |
на замовлення 1230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.52mohm, 414A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.52mohm, 414A, SO8-FL 5x6 |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 414A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 414A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS0D5N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 414A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 163W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6267 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |