NTMFS0D6N03CT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 64.68 грн |
| 3000+ | 58.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D6N03CT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 433A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS0D6N03CT1G за ціною від 65.38 грн до 203.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 520 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V |
на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL |
на замовлення 4334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTMFS0D6N03CT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 65nC On-state resistance: 620µΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 200W Drain current: 433A Case: DFN5 Pulsed drain current: 900A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |