Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS0D6N03CT1G
NTMFS0D6N03CT1G

NTMFS0D6N03CT1G ON Semiconductor

ntmfs0d6n03c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+79.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D6N03CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 433A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS0D6N03CT1G за ціною від 57.95 грн до 215.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d6n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ONSEMI 3191515.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ONSEMI 3191515.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 433A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.62 грн
10+136.29 грн
100+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d6n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.50 грн
10+134.34 грн
100+92.54 грн
500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d6n03c-d.pdf MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+130.17 грн
100+88.29 грн
500+79.99 грн
1000+76.97 грн
1500+76.22 грн
9000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d6n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Case: DFN5
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
On-state resistance: 620µΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N03CT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d6n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5
Case: DFN5
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 433A
On-state resistance: 620µΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 900A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.