Продукція > ONSEMI > NTMFS0D6N04XMT1G
NTMFS0D6N04XMT1G

NTMFS0D6N04XMT1G onsemi

NTMFS0D6N04XM_D-3388348.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.57mohm, 380A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.57mohm, 380A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.50 грн
10+145.17 грн
100+90.27 грн
500+72.36 грн
1000+71.70 грн
1500+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D6N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTMFS0D6N04XMT1G за ціною від 66.68 грн до 220.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+205.09 грн
10+142.70 грн
25+113.43 грн
100+94.53 грн
250+79.05 грн
500+66.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G Виробник : onsemi ntmfs0d6n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.21 грн
10+137.91 грн
100+95.25 грн
500+72.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+220.87 грн
80+153.68 грн
100+122.15 грн
116+101.81 грн
250+85.14 грн
500+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d6n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D6N04XMT1G NTMFS0D6N04XMT1G Виробник : onsemi ntmfs0d6n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5574 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.