
NTMFS0D7N03CGT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Ta), 409A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 15 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 184.98 грн |
10+ | 126.91 грн |
100+ | 114.75 грн |
500+ | 104.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D7N03CGT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Ta), 409A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS0D7N03CGT1G за ціною від 82.93 грн до 222.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS0D7N03CGT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTMFS0D7N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
NTMFS0D7N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTMFS0D7N03CGT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
NTMFS0D7N03CGT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Ta), 409A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |