Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS0D7N04XLT1G
NTMFS0D7N04XLT1G

NTMFS0D7N04XLT1G ON Semiconductor

ntmfs0d7n04xl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+161.92 грн
10+158.23 грн
25+154.54 грн
100+145.39 грн
250+131.32 грн
500+122.90 грн
1000+119.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D7N04XLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 349A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS0D7N04XLT1G за ціною від 127.73 грн до 335.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d7n04xl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+174.38 грн
72+170.40 грн
74+166.43 грн
100+156.57 грн
250+141.42 грн
500+132.36 грн
1000+128.95 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : onsemi ntmfs0d7n04xl-d.pdf Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc)
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7090 pF @ 20 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.94 грн
10+221.70 грн
100+166.07 грн
500+128.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : onsemi ntmfs0d7n04xl-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 349A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.7mohm, 349A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.64 грн
10+238.01 грн
25+195.22 грн
100+158.52 грн
250+152.65 грн
500+131.37 грн
1500+130.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+186.89 грн
500+150.60 грн
1000+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.02 грн
10+242.05 грн
100+186.89 грн
500+150.60 грн
1000+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d7n04xl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G Виробник : onsemi ntmfs0d7n04xl-d.pdf Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc)
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7090 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.