Продукція > ONSEMI > NTMFS0D8N02P1ET1G
NTMFS0D8N02P1ET1G

NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi

ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+105.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS0D8N02P1ET1G за ціною від 100.62 грн до 307.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
95+134.17 грн
96+132.07 грн
98+130.04 грн
100+123.37 грн
250+112.42 грн
500+106.12 грн
1000+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.76 грн
10+141.50 грн
25+139.33 грн
100+132.18 грн
250+120.45 грн
500+113.70 грн
1000+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Виробник : onsemi NTMFS0D8N02P1E-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.62 грн
10+161.63 грн
100+116.59 грн
500+111.80 грн
1000+111.00 грн
1500+100.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Виробник : onsemi ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.53 грн
10+194.49 грн
100+136.94 грн
500+116.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.