NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 136.66 грн |
| 3000+ | 125.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V.
Інші пропозиції NTMFS0D8N02P1ET1G за ціною від 102.38 грн до 258.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS0D8N02P1ET1G | Виробник : onsemi |
MOSFET FET 25V 0.8 MOHM SO8FL |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS0D8N02P1ET1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V |
на замовлення 16494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|