Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS0D8N03CT1G
NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G ON Semiconductor

ntmfs0d8n03c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D8N03CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTMFS0D8N03CT1G за ціною від 40.75 грн до 153.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.96 грн
500+60.29 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 15 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+69.92 грн
3000+58.70 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
427+71.62 грн
500+68.57 грн
1000+64.77 грн
Мінімальне замовлення: 427
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.59 грн
10+85.50 грн
100+66.96 грн
500+60.29 грн
1000+54.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf MOSFETs LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.06 грн
10+98.93 грн
100+66.48 грн
500+58.10 грн
1000+47.24 грн
1500+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.74mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 15 V
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.46 грн
10+99.75 грн
100+79.64 грн
500+72.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d8n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 337A; Idm: 900A; 150W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 150W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d8n03c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 337A; Idm: 900A; 150W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 150W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.