Продукція > ONSEMI > NTMFS0D8N03CT1G
NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI

3191516.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+152.64 грн
500+ 111.46 грн
1500+ 100.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm.

Інші пропозиції NTMFS0D8N03CT1G за ціною від 93.79 грн до 259.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : onsemi NTMFS0D8N03C_D-2318744.pdf MOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION
на замовлення 4077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.03 грн
10+ 153.44 грн
100+ 106.34 грн
500+ 96.43 грн
1500+ 95.77 грн
3000+ 93.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+259.34 грн
10+ 188.94 грн
100+ 152.64 грн
500+ 111.46 грн
1500+ 100.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній