Продукція > ONSEMI > NTMFS0D8N03CT1G
NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI

3191516.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.17 грн
500+59.99 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS0D8N03CT1G за ціною від 40.57 грн до 171.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G onsemi NTMFS0D8N03C-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.72 грн
10+96.36 грн
100+60.68 грн
500+53.14 грн
1000+51.53 грн
1500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.89 грн
10+110.79 грн
100+76.17 грн
500+59.99 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03C-D.PDF
NTMFS0D8N03CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.72 грн
10+96.36 грн
100+60.68 грн
500+53.14 грн
1000+51.53 грн
1500+40.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D8N03CT1G 3191516.pdf
NTMFS0D8N03CT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.89 грн
10+110.79 грн
100+76.17 грн
500+59.99 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.