NTMFS0D9N03CGT1G ON Semiconductor
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 206+ | 151.66 грн |
| 500+ | 144.39 грн |
| 1000+ | 136.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D9N03CGT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 298A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS0D9N03CGT1G за ціною від 53.45 грн до 186.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 155951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs WIDE SOA |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 298A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 15 V |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
30 V, Single N Channel Power Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 298A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NTMFS0D9N03CGT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 298A; Idm: 900A; 144W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 131.4nC On-state resistance: 0.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 144W Drain current: 298A Case: DFN5 Pulsed drain current: 900A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |