Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTMFS0D9N04XLT1G
NTMFS0D9N04XLT1G

NTMFS0D9N04XLT1G ON Semiconductor

ntmfs0d9n04xl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
112+116.08 грн
113+111.10 грн
250+102.64 грн
500+98.31 грн
1000+98.09 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS0D9N04XLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 278A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS0D9N04XLT1G за ціною від 93.47 грн до 239.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d9n04xl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+124.38 грн
10+124.00 грн
25+123.73 грн
100+119.04 грн
250+109.97 грн
500+105.34 грн
1000+105.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d9n04xl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+136.49 грн
500+121.49 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : onsemi ntmfs0d9n04xl-d.pdf Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 20 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.95 грн
10+134.69 грн
100+93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : ONSEMI ntmfs0d9n04xl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 278A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.06 грн
10+170.41 грн
100+136.49 грн
500+121.49 грн
1000+110.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : ONN ntmfs0d9n04xl-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : ONN ntmfs0d9n04xl-d.pdf
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs0d9n04xl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : onsemi ntmfs0d9n04xl-d.pdf Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D9N04XLT1G NTMFS0D9N04XLT1G Виробник : onsemi NTMFS0D9N04XL-D.PDF MOSFETs 40V T10S IN S08FL PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.