NTMFS0D9N04XLT1G ON Semiconductor
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 112+ | 111.35 грн |
| 113+ | 106.57 грн |
| 250+ | 98.45 грн |
| 500+ | 94.30 грн |
| 1000+ | 94.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS0D9N04XLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 278A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS0D9N04XLT1G за ціною від 100.79 грн до 257.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 278A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 20 V |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 278 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 278A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 278A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 278A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 180µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5160 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
NTMFS0D9N04XLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V T10S IN S08FL PACKAGE |
товару немає в наявності |