NTMFS10N3D2C onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 269.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS10N3D2C onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V, Power Dissipation (Max): 138W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA, Supplier Device Package: Power56, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NTMFS10N3D2C за ціною від 250.68 грн до 659.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS10N3D2C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS10N3D2C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 151A POWER56Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA Supplier Device Package: Power56 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6215 pF @ 50 V |
на замовлення 4074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMFS10N3D2C | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

