Продукція > ONSEMI > NTMFS10N7D2C
NTMFS10N7D2C

NTMFS10N7D2C onsemi

ntmfs10n7d2c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+102.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS10N7D2C onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS10N7D2C за ціною від 113.53 грн до 313.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS10N7D2C NTMFS10N7D2C onsemi ntmfs10n7d2c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.14 грн
10+198.64 грн
100+140.50 грн
500+113.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C NTMFS10N7D2C onsemi / Fairchild NTMFS10N7D2C_D-2318710.pdf MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C NTMFS10N7D2C ONSEMI ONSM-S-A0014832416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C NTMFS10N7D2C ONSEMI ONSM-S-A0014832416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C ONN ntmfs10n7d2c-d.pdf
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C ntmfs10n7d2c-d.pdf
NTMFS10N7D2C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 50 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.14 грн
10+198.64 грн
100+140.50 грн
500+113.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C NTMFS10N7D2C_D-2318710.pdf
NTMFS10N7D2C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C ONSM-S-A0014832416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS10N7D2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C ONSM-S-A0014832416-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS10N7D2C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS10N7D2C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS10N7D2C ntmfs10n7d2c-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.