 
NTMFS1D15N03CGT1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1500+ | 73.68 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS1D15N03CGT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції NTMFS1D15N03CGT1G за ціною від 78.47 грн до 155.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTMFS1D15N03CGT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||
| NTMFS1D15N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |   | на замовлення 1420 шт:термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||
|   | NTMFS1D15N03CGT1G | Виробник : ON Semiconductor |  30 V, Single N Channel Power Transistor | товару немає в наявності | |||||||||||
|   | NTMFS1D15N03CGT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs WIDE SOA | товару немає в наявності |