Продукція > ONSEMI > NTMFS1D15N03CGT1G
NTMFS1D15N03CGT1G

NTMFS1D15N03CGT1G onsemi

ntmfs1d15n03cg-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+69.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS1D15N03CGT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS1D15N03CGT1G за ціною від 74.15 грн до 146.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS1D15N03CGT1G NTMFS1D15N03CGT1G Виробник : onsemi ntmfs1d15n03cg-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.75 грн
10+117.33 грн
100+93.38 грн
500+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs1d15n03cg-d.pdf
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1G NTMFS1D15N03CGT1G Виробник : onsemi ntmfs1d15n03cg-d.pdf MOSFETs WIDE SOA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D15N03CGT1G Виробник : ONSEMI ntmfs1d15n03cg-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 245A; Idm: 900A; 124W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 245A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 124W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.