NTMFS1D1N04XMT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 76.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS1D1N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 233A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS1D1N04XMT1G за ціною від 67.98 грн до 237.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
на замовлення 1862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS1D1N04XMT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |