на замовлення 9000 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.33 грн |
| 10+ | 70.30 грн |
| 100+ | 44.25 грн |
| 500+ | 34.86 грн |
| 1000+ | 32.51 грн |
| 1500+ | 29.36 грн |
| 3000+ | 27.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS1D3N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS1D3N04XMT1G за ціною від 36.54 грн до 89.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS1D3N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NTMFS1D3N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
NTMFS1D3N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2459 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
NTMFS1D3N04XMT1G | Виробник : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2459 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |