| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.63 грн |
| 10+ | 69.68 грн |
| 100+ | 40.02 грн |
| 500+ | 31.52 грн |
| 1000+ | 29.28 грн |
| 1500+ | 27.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS2D3N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS2D3N04XMT1G за ціною від 42.95 грн до 122.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS2D3N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTMFS2D3N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| NTMFS2D3N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 111A; Idm: 682A; 53W; DFN5 Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Power dissipation: 53W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 111A Pulsed drain current: 682A On-state resistance: 2.35mΩ Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |