Продукція > ONSEMI > NTMFS2D3N04XMT1G
NTMFS2D3N04XMT1G

NTMFS2D3N04XMT1G onsemi


Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 5932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.79 грн
10+69.78 грн
100+40.08 грн
500+31.56 грн
1000+29.33 грн
1500+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS2D3N04XMT1G onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 111A; Idm: 682A; 53W; DFN5, Case: DFN5, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 22.1nC, Power dissipation: 53W, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 111A, Pulsed drain current: 682A, On-state resistance: 2.35mΩ, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції NTMFS2D3N04XMT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS2D3N04XMT1G ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 111A; Idm: 682A; 53W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 682A
On-state resistance: 2.35mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 111A; Idm: 682A; 53W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Power dissipation: 53W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 111A
Pulsed drain current: 682A
On-state resistance: 2.35mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.