NTMFS3D0N08XT1G onsemi
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.51 грн |
| 10+ | 110.56 грн |
| 100+ | 77.79 грн |
| 250+ | 67.67 грн |
| 500+ | 62.46 грн |
| 1000+ | 61.80 грн |
| 1500+ | 54.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS3D0N08XT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS3D0N08XT1G за ціною від 65.36 грн до 181.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS3D0N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Виробник : ONSEMI | NTMFS3D0N08XT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |