Продукція > ONSEMI > NTMFS3D1N04XMT1G
NTMFS3D1N04XMT1G

NTMFS3D1N04XMT1G ONSEMI


Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.75 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS3D1N04XMT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS3D1N04XMT1G за ціною від 22.52 грн до 107.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS3D1N04XMT1G NTMFS3D1N04XMT1G Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.67 грн
14+60.03 грн
100+40.75 грн
500+31.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D1N04XMT1G NTMFS3D1N04XMT1G Виробник : onsemi MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.37 грн
10+66.31 грн
100+38.35 грн
500+29.98 грн
1000+24.19 грн
1500+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D1N04XMT1G Виробник : ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 15.6nC
Power dissipation: 39W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 506A
On-state resistance: 3.1mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.