Продукція > ONSEMI > NTMFS3D1N04XMT1G

NTMFS3D1N04XMT1G onsemi

Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE

на замовлення 1343 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTMFS3D1N04XMT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS3D1N04XMT1G

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	NTMFS3D1N04XMT1G	ONSEMI	Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	NTMFS3D1N04XMT1G	ONSEMI	Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

NTMFS3D1N04XMT1G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NTMFS3D1N04XMT1G

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.