NTMFS3D1N04XMT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.90 грн |
| 500+ | 27.36 грн |
| 1000+ | 23.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS3D1N04XMT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS3D1N04XMT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS3D1N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5 Case: DFN5 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 506A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||
| NTMFS3D1N04XMT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5 Case: DFN5 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 506A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |