Продукція > ONSEMI > NTMFS3D5N08XT1G
NTMFS3D5N08XT1G

NTMFS3D5N08XT1G onsemi

ntmfs3d5n08x-d.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.85 грн
10+102.97 грн
100+69.72 грн
500+59.30 грн
1000+48.22 грн
1500+45.43 грн
3000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS3D5N08XT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTMFS3D5N08XT1G за ціною від 47.35 грн до 162.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Виробник : onsemi ntmfs3d5n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.16 грн
10+99.08 грн
100+67.26 грн
500+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs3d5n08x-d.pdf MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+162.62 грн
10+161.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs3d5n08x-d.pdf MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.86 грн
500+54.51 грн
1000+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.78 грн
10+103.74 грн
100+72.86 грн
500+54.51 грн
1000+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs3d5n08x-d.pdf MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs3d5n08x-d.pdf MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G Виробник : ONSEMI ntmfs3d5n08x-d.pdf NTMFS3D5N08XT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G Виробник : onsemi ntmfs3d5n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.