NTMFS3D5N08XT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 45.24 грн |
| 3000+ | 40.48 грн |
| 4500+ | 38.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS3D5N08XT1G onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMFS3D5N08XT1G за ціною від 41.49 грн до 148.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS3D5N08XT1G | onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS3D5N08XT1G | onsemi |
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FLInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS3D5N08XT1G | ONN |
|
на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS3D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.09 грн |
| 10+ | 98.67 грн |
| 100+ | 66.81 грн |
| 500+ | 56.82 грн |
| 1000+ | 46.20 грн |
| 1500+ | 43.53 грн |
| 3000+ | 41.49 грн |
| NTMFS3D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.74 грн |
| 10+ | 91.88 грн |
| 100+ | 62.34 грн |
| 500+ | 46.64 грн |
| NTMFS3D5N08XT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


