NTMFS3D5N08XT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 46.18 грн |
| 3000+ | 41.32 грн |
| 4500+ | 39.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS3D5N08XT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTMFS3D5N08XT1G за ціною від 44.95 грн до 190.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : onsemi |
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V |
на замовлення 5053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS3D5N08XT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL |
товару немає в наявності |