Продукція > ONSEMI > NTMFS3D6N10MCLT1G
NTMFS3D6N10MCLT1G

NTMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI

ntmfs3d6n10mcl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS3D6N10MCLT1G за ціною від 78.24 грн до 248.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS3D6N10MCLT1G NTMFS3D6N10MCLT1G onsemi ntmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.30 грн
10+119.19 грн
100+95.18 грн
500+86.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1G NTMFS3D6N10MCLT1G onsemi ntmfs3d6n10mcl-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 15539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.66 грн
10+154.81 грн
100+96.56 грн
500+84.58 грн
1000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1G NTMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI ntmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.33 грн
10+174.33 грн
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1G ntmfs3d6n10mcl-d.pdf
NTMFS3D6N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.30 грн
10+119.19 грн
100+95.18 грн
500+86.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1G ntmfs3d6n10mcl-d.pdf
NTMFS3D6N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 15539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.66 грн
10+154.81 грн
100+96.56 грн
500+84.58 грн
1000+78.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D6N10MCLT1G ntmfs3d6n10mcl-d.pdf
NTMFS3D6N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+248.33 грн
10+174.33 грн
100+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.