Продукція > ONSEMI > NTMFS4823NT1G

NTMFS4823NT1G onsemi


ntmfs4823n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1099+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 1099 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4823NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 32.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 11.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4823NT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS4823NT1G ON Semiconductor ntmfs4823n-d.pdf
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4823NT1G ntmfs4823n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.