Інші пропозиції NTMFS4835NT1G за ціною від 44.75 грн до 80.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4835NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFNOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 794741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 7374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTMFS4835NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 520360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTMFS4835NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: SO-8 FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1024741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4835NT1G | ONN |
|
на замовлення 1215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 794741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 57.17 грн |
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 435+ | 80.84 грн |
| 500+ | 72.76 грн |
| 1000+ | 67.10 грн |
| 10000+ | 57.69 грн |
| 100000+ | 44.75 грн |
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 7374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 435+ | 80.84 грн |
| 500+ | 72.76 грн |
| 1000+ | 67.10 грн |
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 435+ | 80.84 грн |
| 500+ | 72.76 грн |
| 1000+ | 67.10 грн |
| 10000+ | 57.69 грн |
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 520360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 435+ | 80.84 грн |
| 500+ | 72.76 грн |
| 1000+ | 67.10 грн |
| 10000+ | 57.69 грн |
| 100000+ | 44.75 грн |
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1024741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS4835NT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





