 
NTMFS4835NT1G ONSEMI
 Виробник: ONSEMI
                                                Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1024741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 64.85 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4835NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4835NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 0.0025 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023). 
Інші пропозиції NTMFS4835NT1G за ціною від 39.42 грн до 132.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 243000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 520360 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 24000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 7374 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V | на замовлення 140 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
| NTMFS4835NT1G Код товару: 133508 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | |||||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12 V | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | NTMFS4835NT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm | товару немає в наявності |