
NTMFS4852NT1G ON Semiconductor
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 38.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4852NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTMFS4852NT1G за ціною від 41.27 грн до 161.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4852NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 25A, 150DEG C, 86.2W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
NTMFS4852NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |