NTMFS4934NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFS4934NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 147A, SOIC-FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 99.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4934NT1G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 147A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), 69.44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5505 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS4934NT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4934NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET Power MOSFET 30V 147A 2m OHM |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| NTMFS4934NT1G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 147A SO-8 FL |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
|
NTMFS4934NT1G Код товару: 133664
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Пам'ять |
товару немає в наявності
|
|||
 |
NTMFS4934NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 29.1A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
NTMFS4934NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 17.1A/147A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.1A (Ta), 147A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), 69.44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5505 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |