NTMFS4C020NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 39.57 грн |
| 3000+ | 32.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C020NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS4C020NT1G за ціною від 32.24 грн до 115.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C020NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C020NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C020NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C020NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C020NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFS4C020NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 370A; Idm: 900A; 161W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 370A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 161W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 670µΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |