NTMFS4C020NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 37.63 грн |
| 3000+ | 30.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C020NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMFS4C020NT1G за ціною від 37.85 грн до 102.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4C020NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C020NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTMFS4C020NT1G | onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH |
на замовлення 1666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4C020NT1G | ONN |
|
на замовлення 10500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C020NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 57A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 467+ | 75.57 грн |
| 519+ | 68.01 грн |
| 1000+ | 62.73 грн |
| NTMFS4C020NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 134W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 303A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.45 грн |
| 10+ | 70.04 грн |
| 100+ | 51.26 грн |
| 500+ | 37.85 грн |
| NTMFS4C020NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS4C020NT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



