 
NTMFS4C022NT1G onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1500+ | 27.12 грн | 
| 3000+ | 17.08 грн | 
| 4500+ | 16.74 грн | 
| 7500+ | 15.22 грн | 
| 10500+ | 14.69 грн | 
| 15000+ | 14.60 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C022NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V. 
Інші пропозиції NTMFS4C022NT1G за ціною від 16.19 грн до 68.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 290000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 7500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : onsemi |  Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V | на замовлення 21759 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : onsemi |  MOSFETs TRENCH 6 30V NCH | на замовлення 1631 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| NTMFS4C022NT1G Код товару: 184791 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
|   | NTMFS4C022NT1G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
| NTMFS4C022NT1G | Виробник : ONSEMI |  Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 136A; Idm: 900A; 64W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 136A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 64W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності |