Продукція > ONSEMI > NTMFS4C022NT1G
NTMFS4C022NT1G

NTMFS4C022NT1G onsemi

NTMFS4C022N_D-2318774.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+72.59 грн
100+44.21 грн
500+35.75 грн
1000+35.68 грн
1500+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C022NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C022NT1G за ціною від 27.22 грн до 93.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4C022NT1G
Код товару: 184791
Додати до обраних Обраний товар

ntmfs4c022n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C022NT1G NTMFS4C022NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c022n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.91 грн
10+56.48 грн
100+37.27 грн
500+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C022NT1G NTMFS4C022NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c022n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C022NT1G NTMFS4C022NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c022n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C022NT1G NTMFS4C022NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c022n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C022NT1G Виробник : ONSEMI ntmfs4c022n-d.pdf NTMFS4C022NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C022NT1G NTMFS4C022NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c022n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3071 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.