Продукція > ONSEMI > NTMFS4C024NT1G
NTMFS4C024NT1G

NTMFS4C024NT1G onsemi


ntmfs4c024n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C024NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C024NT1G за ціною від 23.38 грн до 100.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4C024NT1G NTMFS4C024NT1G Виробник : onsemi NTMFS4C024N_D-2318924.pdf MOSFETs TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.08 грн
10+56.34 грн
100+35.23 грн
500+28.15 грн
1000+28.07 грн
1500+24.69 грн
3000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C024NT1G NTMFS4C024NT1G Виробник : onsemi ntmfs4c024n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 3809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.67 грн
10+61.13 грн
100+40.47 грн
500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C024NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c024n-d.pdf
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C024NT1G NTMFS4C024NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c024n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C024NT1G NTMFS4C024NT1G Виробник : ON Semiconductor ntmfs4c024n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C024NT1G Виробник : ONSEMI ntmfs4c024n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21.7A; Idm: 174A; 2.57W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 174A
Drain current: 21.7A
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 2.8mΩ
Power dissipation: 2.57W
Gate-source voltage: ±20V
Case: DFN5
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.