NTMFS4C025NT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 40.84 грн |
| 3000+ | 40.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C025NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V.
Інші пропозиції NTMFS4C025NT1G за ціною від 34.12 грн до 57.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C025NT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NTMFS4C025NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NTMFS4C025NT1G | onsemi |
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C025NT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 44.55 грн |
| 3000+ | 43.94 грн |
| NTMFS4C025NT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.41mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.09 грн |
| 10+ | 34.12 грн |
| NTMFS4C025NT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH
MOSFETs TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)