NTMFS4C028NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 35.57 грн |
| 3000+ | 31.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C028NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMFS4C028NT1G за ціною від 27.07 грн до 78.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C028NT1G | onsemi |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH |
на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTMFS4C028NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTMFS4C028NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1317 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C028NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.07 грн |
| 10+ | 67.89 грн |
| 100+ | 46.08 грн |
| 500+ | 38.09 грн |
| 1000+ | 30.58 грн |
| 1500+ | 27.48 грн |
| 3000+ | 27.07 грн |
| NTMFS4C028NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 16.4A/52A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.51W (Ta), 25.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.73mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.27 грн |
| 10+ | 67.38 грн |
| 100+ | 52.52 грн |
| 500+ | 40.72 грн |
| NTMFS4C028NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


