Продукція > ONSEMI > NTMFS4C05NAT1G
NTMFS4C05NAT1G

NTMFS4C05NAT1G onsemi

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.84 грн
10+79.66 грн
100+53.72 грн
500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C05NAT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C05NAT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4C05NAT1G Виробник : ON Semiconductor
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NAT1G NTMFS4C05NAT1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.57W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NAT1G NTMFS4C05NAT1G Виробник : ON Semiconductor NTMFS4C05N_D-1387856.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.