NTMFS4C05NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 20.79 грн |
| 3000+ | 12.71 грн |
| 4500+ | 12.07 грн |
| 7500+ | 10.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C05NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTMFS4C05NT1G за ціною від 9.90 грн до 52.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 118500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C05NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V |
на замовлення 8286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS4C05NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm |
на замовлення 15138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTMFS4C05NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 78A; Idm: 174A; 33W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 78A Pulsed drain current: 174A Power dissipation: 33W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |