Продукція > ONSEMI > NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G

NTMFS4C05NT1G onsemi

ntmfs4c05n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.42 грн
3000+11.87 грн
4500+11.27 грн
7500+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C05NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS4C05NT1G за ціною від 17.04 грн до 44.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G onsemi ntmfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
10+30.76 грн
100+20.37 грн
500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G ON Semiconductor ntmfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 118500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
784+44.84 грн
1000+41.35 грн
10000+36.86 грн
100000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 784 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G ON Semiconductor ntmfs4c05n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
784+44.84 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 784 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G onsemi NTMFS4C05N-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G ONSEMI 2160861.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G ONSEMI 2160861.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ON Semiconductor ntmfs4c05n-d.pdf
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ntmfs4c05n-d.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
10+30.76 грн
100+20.37 грн
500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ntmfs4c05n-d.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 118500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
784+44.84 грн
1000+41.35 грн
10000+36.86 грн
100000+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 784 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ntmfs4c05n-d.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
784+44.84 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 784 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05N-D.PDF
NTMFS4C05NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G 2160861.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G 2160861.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ntmfs4c05n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.