Продукція > ONSEMI > NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G

NTMFS4C05NT1G onsemi

ntmfs4c05n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+20.00 грн
3000+12.22 грн
4500+11.61 грн
7500+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C05NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTMFS4C05NT1G за ціною від 9.16 грн до 97.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G ONSEMI 2160861.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.17 грн
500+27.56 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G onsemi ntmfs4c05n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.61 грн
10+31.69 грн
100+20.98 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G onsemi NTMFS4C05N-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.23 грн
10+33.23 грн
100+19.52 грн
500+17.97 грн
1500+16.70 грн
3000+10.36 грн
24000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05NT1G ONSEMI 2160861.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.03 грн
12+69.40 грн
100+43.17 грн
500+27.56 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ON Semiconductor ntmfs4c05n-d.pdf
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G 2160861.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.17 грн
500+27.56 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ntmfs4c05n-d.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.61 грн
10+31.69 грн
100+20.98 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G NTMFS4C05N-D.PDF
NTMFS4C05NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
на замовлення 15138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.23 грн
10+33.23 грн
100+19.52 грн
500+17.97 грн
1500+16.70 грн
3000+10.36 грн
24000+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G 2160861.pdf
NTMFS4C05NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.03 грн
12+69.40 грн
100+43.17 грн
500+27.56 грн
1000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C05NT1G ntmfs4c05n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.