Продукція > ONSEMI > NTMFS4C06NBT1G
NTMFS4C06NBT1G

NTMFS4C06NBT1G onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.63 грн
10+76.69 грн
50+57.74 грн
100+48.44 грн
500+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFS4C06NBT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NTMFS4C06NBT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTMFS4C06NBT1G NTMFS4C06NBT1G onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NBT1G NTMFS4C06NBT1G onsemi NTMFS4C06N_D-2319054.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NBT1G ON Semiconductor NFET SO8FL 30V 69A 4M Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NBT1G
NTMFS4C06NBT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NBT1G NTMFS4C06N_D-2319054.pdf
NTMFS4C06NBT1G
Виробник: onsemi
MOSFET NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NBT1G
Виробник: ON Semiconductor
NFET SO8FL 30V 69A 4M Ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.