NTMFS4C06NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C06NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NTMFS4C06NT1G за ціною від 13.32 грн до 66.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C06NT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM |
на замовлення 67044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NTMFS4C06NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFNInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTMFS4C06NT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C06NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
MOSFETs NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM
на замовлення 67044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.24 грн |
| 11+ | 30.15 грн |
| 100+ | 17.20 грн |
| 500+ | 14.17 грн |
| 1000+ | 13.74 грн |
| 1500+ | 13.32 грн |
| NTMFS4C06NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.61 грн |
| 10+ | 39.93 грн |
| 100+ | 26.01 грн |
| 500+ | 18.79 грн |
| NTMFS4C06NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


