
NTMFS4C08NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 8.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTMFS4C08NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 0.0046 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.51W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTMFS4C08NT1G за ціною від 7.87 грн до 77.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTMFS4C08NT1G Код товару: 142967
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
NTMFS4C08NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |