Інші пропозиції NTMFS4C08NT1G за ціною від 9.81 грн до 46.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ONN |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 16262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFNVgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NTMFS4C08NT1G | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTMFS4C08NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.51W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4C08NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 672 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.14 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 23.29 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 25.45 грн |
| 31+ | 24.58 грн |
| 100+ | 9.81 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 26.10 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 5410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 26.10 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 26.10 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 26.10 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 16262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 26.10 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1352+ | 26.10 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.14 грн |
| 12+ | 27.19 грн |
| 100+ | 17.45 грн |
| 500+ | 12.43 грн |
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTMFS4C08NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





