Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTMFS4C08NT1G

NTMFS4C08NT1G

ntmfs4c08n-d.pdf
Код товару: 142967
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTMFS4C08NT1G за ціною від 12.31 грн до 52.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300644-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08NT1G onsemi NTMFS4C08N_D-2318687.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.59 грн
10+40.00 грн
100+24.66 грн
500+21.90 грн
1000+21.77 грн
1500+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08NT1G onsemi ntmfs4c08n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
12+26.94 грн
100+17.29 грн
500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300644-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.07 грн
26+32.06 грн
100+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G ONN ntmfs4c08n-d.pdf
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G ONSM-S-A0013300644-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS4C08NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G NTMFS4C08N_D-2318687.pdf
NTMFS4C08NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V 52A 5.8mohm
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.59 грн
10+40.00 грн
100+24.66 грн
500+21.90 грн
1000+21.77 грн
1500+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G ntmfs4c08n-d.pdf
NTMFS4C08NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
на замовлення 1257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+45.72 грн
12+26.94 грн
100+17.29 грн
500+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G ONSM-S-A0013300644-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS4C08NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C08NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16.4 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.51W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+52.07 грн
26+32.06 грн
100+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C08NT1G ntmfs4c08n-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.